Analyse De Philosophie

Exercice de texte argumentatif

Le silicium électronique sert des matières premières initiales pour la plupart des produits de l'industrie microélectronique. La première étape de sa réception est la fabrication des matières premières appelées comme le silicium technique (métallurgique).

Les emplacements régionaux apparaissent aux frais du déplacement parallèle des atomes d'un plan en ce qui concerne l'autre sur la distance identique b dans la direction parallèle au déplacement possible de l'emplacement. Les emplacements à vis apparaissent aussi aux frais du déplacement des plans atomiques, mais les atomes se déplacent sur de différentes distances dans la direction perpendiculaire au déplacement de l'emplacement.

Le procès examiné de la précipitation polycristallin est utilisé aussi pour la réception à sa base des tubes sur carbonique. En conséquence d'une haute propreté et la solidité ces tubes sont appliqués au lieu de quartz dans les fourneaux des procès (d'en haut 1200 °) dans la technologie des appareils demi-conducteurs et microélectroniques. De silicium ne sont pas exposés ou une autre déformation pendant quelques années à l'exploitation, malgré constant entre 900 et 1250 °, tandis que les tubes de quartz ont la durée de service limitée aux mêmes procès.

La réception des pivots polycristallins du silicium par voie de la décomposition thermique SiH4 est produite selon à la méthode aux températures 1000 °. Formant à l'hydrogène SiH4 (-> Si (T) + 22 (possède haut de la propreté et est utilisé dans la production accompagnant. selon cette technologie le polysilicium possède un plus haut degré de la propreté, que le silicium reçu par la restitution.

Selon les mesures électriques des modèles de test le contenu résiduel des donneurs doit assurer la résistance spécifique du silicium de la n-type pas moins 5000 Om·sm, et selon les accepteurs près des cristaux du r-type — pas moins 8000 Om·sm.

Pour la réception des monocristaux p - ou le r-type avec la résistance demandée spécifique passent correspondant du silicium initial polycristallin ou. À le polysilicium introduisent les éléments correspondants (, à, As, Sb etc.) ou leurs alliages avec le silicium qu'augmente l'exactitude.

Le silicium possède la grille cristalline, qui peut être présentée en forme de deux des grilles. Le paramètre de la grille - 54, la distance la plus courte entre les atomes - 23. Les atomes legiroujuchtchie remplacent les atomes du silicium, en prenant leur place dans la grille cristalline. Principal par les atomes sont le phosphore (5 le donneur du remplacement) et la forêt (3 l'accepteur du remplacement). Leur concentration n'excède pas d'habitude 10-8 pour-cent atomiques.

Dans l'issue du procès de la croissance du monocristal la partie du monocristal fond pour l'élimination dans lui des terrains avec la densité augmentée des efforts mécaniques et les défauts. Puis il y a un détiré graduel du monocristal de.

Les schémas modernes technologiques de la réception du silicium comprennent la régénérescence et réitéré de tous les composants et les produits des réactions de la restitution ( qu'améliore les paramètres technologiques á, réduit le prix de revient du silicium reçu, fait le procès écologiquement plus propre.

Sur les surfaces des pivots de silicium — les bases par le diamètre de 4—8 mm (parfois jusqu'à 30 mm), reçu par la méthode du piédestal. Dans certaines technologies au lieu des pivots cylindriques sont utilisés lamelleux (l'épaisseur de 1—5 mm et la largeur de 30—100 mm) avec par la place de la précipitation. Le silicium de haute qualité polycristallin sert du document pour la cultivation des pivots. À la surface des pivots – les bases soumettent au nettoyage, le traitement à l'eau forte dans le mélange des acides (par exemple, HF + + HNO, et le séchage. On impose aux pivots – les bases pour la réception du silicium polycristallin de hautes exigences selon la propreté : ils doivent avoir spécifique selon les donneurs> 700 Om·sm et selon la forêt> 5000 Om·sm.

Selon la deuxième modification de la méthode de test le monocristal élèvent directement de la phase à gaz sur le pivot dans le réacteur minuscule de quartz et ensuite mesurent sa résistance spécifique.